服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> STS19N3LLH6

497-12677-1-ND

型号 :
STS19N3LLH6
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 17nC @ 15V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.6 毫欧 @ 9.5A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 2.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc)
系列 DeepGATE™,STripFET™ VI
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]