NTDV18N06LT4G - 上海强芯电子技术有限公司

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NTDV18N06LT4G-ND

型号 :: NTDV18N06LT4G

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

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库存 :: 800

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NTDV18N06LT4G

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	675pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	22nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	65 毫欧 @ 9A，5V
供应商器件封装	DPAK-3
功率 - 最大值	2.1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	18A（Ta）
系列	-

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