服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> IXFN180N25T

IXFN180N25T-ND

型号 :
IXFN180N25T
制造商 :
IXYS
简介 :
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
PDF :
PDF
库存 :
167 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 28000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 345nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12.9 毫欧 @ 60A,10V
供应商器件封装 SOT-227B
功率 - 最大值 900W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
漏源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 168A
系列 GigaMOS™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]