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IXFN180N10-ND

型号 :
IXFN180N10
制造商 :
IXYS
简介 :
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
PDF :
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库存 :
768 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 8mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 9100pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 360nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 500mA,10V
供应商器件封装 SOT-227B
功率 - 最大值 600W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A
系列 HiPerFET™
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