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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 2.5mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2.810nF @ 800V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 180nC @ 20V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 34 毫欧 @ 50A，20V |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | 337W |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 87A |
| 系列 | Z-FET™ Z-Rec™ |
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