BSM120D12P2C005 - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> BSM120D12P2C005

图片仅供参考
请以实物为准

BSM120D12P2C005-ND

型号 :: BSM120D12P2C005

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

PDF :: PDF

库存 :: 25

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

BSM120D12P2C005

FET 功能	碳化硅（SiC）
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.7V @ 22mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	14000pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	-
供应商器件封装	模块
功率 - 最大值	780W
安装类型	*
封装/外壳	模块
漏源极电压（Vdss）	1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	120A
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们