服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> APTC90DSK12T1G

APTC90DSK12T1G-ND

型号 :
APTC90DSK12T1G
制造商 :
Microsemi Power Products Group
简介 :
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 超级结
FET 类型 2 N 沟道(双路降压斩波器)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6800pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 270nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 26A,10V
供应商器件封装 SP1
功率 - 最大值 250W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
漏源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A
系列 CoolMOS™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]