APTM10DDAM09T3G - 上海强芯电子技术有限公司

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APTM10DDAM09T3G-ND

型号 :: APTM10DDAM09T3G

制造商 :: Microsemi Power Products Group

简介 :: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

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库存 :: 800

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APTM10DDAM09T3G

FET 功能	标准
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 2.5mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	9875pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	350nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	10 毫欧 @ 69.5A，10V
供应商器件封装	SP3
功率 - 最大值	390W
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP3
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	139A
系列	-

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