服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G-ND

型号 :
APTM10DDAM09T3G
制造商 :
Microsemi Power Products Group
简介 :
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 2.5mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 9875pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 350nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 69.5A,10V
供应商器件封装 SP3
功率 - 最大值 390W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 139A
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]