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APTC60AM45B1G-ND

型号 :
APTC60AM45B1G
制造商 :
Microsemi Power Products Group
简介 :
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 150nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V
供应商器件封装 SP1
功率 - 最大值 250W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A
系列 CoolMOS™
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