APTM10DAM02G - 上海强芯电子技术有限公司

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APTM10DAM02G-ND

型号 :: APTM10DAM02G

制造商 :: Microsemi Power Products Group

简介 :: MOSFET N-CH 100V 495A SP6

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库存 :: 800

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APTM10DAM02G

FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	40000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	1360nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	2.5 毫欧 @ 200A，10V
供应商器件封装	SP6
功率 - 最大值	1250W
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP6
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	495A
系列	-

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