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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 6V @ 110mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 50000pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 2000nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.1 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-DCB |
| 功率 - 最大值 | 2200W |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-DCB |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 590A |
| 系列 | HiPerFET™ |
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