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VMM650-01F-ND

型号 :
VMM650-01F
制造商 :
IXYS
简介 :
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 30mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1440nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 500A,10V
供应商器件封装 Y3-Li
功率 - 最大值 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 Y3-Li
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 680A
系列 HiPerFET™
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