VWM200-01P - 上海强芯电子技术有限公司

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VWM200-01P-ND

型号 :: VWM200-01P

制造商 :: IXYS

简介 :: MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

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库存 :: 800

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VWM200-01P

FET 功能	标准
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 2mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	430nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	5.2 毫欧 @ 100A，10V
供应商器件封装	V2-PAK
功率 - 最大值	-
安装类型	通孔
封装/外壳	V2-PAK
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	210A
系列	-

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