APTM08TDUM04PG - 上海强芯电子技术有限公司

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APTM08TDUM04PG-ND

型号 :: APTM08TDUM04PG

制造商 :: Microsemi Power Products Group

简介 :: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

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库存 :: 800

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APTM08TDUM04PG

FET 功能	标准
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	4530pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	153nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	4.5 毫欧 @ 60A，10V
供应商器件封装	SP6-P
功率 - 最大值	138W
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP6
漏源极电压（Vdss）	75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	120A
系列	-

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