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APTM100H80FT1G-ND

型号 :
APTM100H80FT1G
制造商 :
Microsemi Power Products Group
简介 :
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 4 个 N 通道(H 桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3876pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 150nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 960 毫欧 @ 9A,10V
供应商器件封装 SP1
功率 - 最大值 208W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
漏源极电压(Vdss) 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A
系列 -
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