APTM100H80FT1G - 上海强芯电子技术有限公司

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APTM100H80FT1G-ND

型号 :: APTM100H80FT1G

制造商 :: Microsemi Power Products Group

简介 :: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

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库存 :: 800

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APTM100H80FT1G

FET 功能	标准
FET 类型	4 个 N 通道（H 桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	3876pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	150nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	960 毫欧 @ 9A，10V
供应商器件封装	SP1
功率 - 最大值	208W
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP1
漏源极电压（Vdss）	1000V（1kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	11A
系列	-

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