GWM160-0055X1-SL - 上海强芯电子技术有限公司

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GWM160-0055X1-SL-ND

型号 :: GWM160-0055X1-SL

制造商 :: IXYS

简介 :: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

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库存 :: 800

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GWM160-0055X1-SL

FET 功能	标准
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	105nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3.3 毫欧 @ 100A，10V
供应商器件封装	ISOPLUS-DIL™
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	17-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	150A
系列	-

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