CAS100H12AM1 - 上海强芯电子技术有限公司

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CAS100H12AM1-ND

型号 :: CAS100H12AM1

制造商 :: Cree Inc

简介 :: MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE

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库存 :: 800

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CAS100H12AM1

FET 功能	碳化硅（SiC）
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.1V @ 50mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	9500pF @ 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	20 毫欧 @ 20A，20V
供应商器件封装	模块
功率 - 最大值	568W
安装类型	底座安装
封装/外壳	模块
漏源极电压（Vdss）	1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	168A
系列	Z-FET™

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