QS6M3TR - 上海强芯电子技术有限公司

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QS6M3DKR-ND

型号 :: QS6M3TR

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

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库存 :: 23412

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QS6M3TR

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	80pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	1.6nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	230 毫欧 @ 1.5A，4.5V
供应商器件封装	TSMT6
功率 - 最大值	1.25W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
漏源极电压（Vdss）	30V，20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.5A
系列	-

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