IRF7507TRPBF - 上海强芯电子技术有限公司

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IRF7507TRPBFDKR-ND

型号 :: IRF7507TRPBF

制造商 :: International Rectifier

简介 :: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8

PDF :: PDF

库存 :: 16506

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IRF7507TRPBF

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	260pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	8nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	140 毫欧 @ 1.7A，4.5V
供应商器件封装	Micro8™
功率 - 最大值	1.25W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.4A，1.7A
系列	HEXFET®

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