SSM6N44FE,LM - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> SSM6N44FE,LM

图片仅供参考
请以实物为准

SSM6N44FELMDKR-ND

型号 :: SSM6N44FE,LM

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

PDF :: PDF

库存 :: 37512

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

SSM6N44FE,LM

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	8.5pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	4 欧姆 @ 10mA，4V
供应商器件封装	ES6（1.6x1.6）
功率 - 最大值	150mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们