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SSM6L35FU(TE85LF)TR-ND

型号 :
SSM6L35FU(TE85L,F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
PDF :
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库存 :
9000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 9.5pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 50mA,4V
供应商器件封装 US6
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA,100mA
系列 -
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