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网站首页 > 产品> PMGD280UN,115

568-2365-1-ND

型号 :
PMGD280UN,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
PDF :
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库存 :
32972 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 45pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.89nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 340 毫欧 @ 200mA,4.5V
供应商器件封装 6-TSSOP
功率 - 最大值 400mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 870mA
系列 TrenchMOS™
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