IRF9389TRPBF - 上海强芯电子技术有限公司

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IRF9389TRPBFDKR-ND

型号 :: IRF9389TRPBF

制造商 :: International Rectifier

简介 :: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A SO-8

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库存 :: 4106

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IRF9389TRPBF

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	398pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	14nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	27 毫欧 @ 6.8A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率 - 最大值	2W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.8A，4.6A
系列	HEXFET®

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