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SI5935CDC-T1-GE3CT-ND

型号 :
SI5935CDC-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
PDF :
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库存 :
37889 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 455pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 3.1A,4.5V
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
功率 - 最大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
系列 TrenchFET®
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