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FDC6561ANDKR-ND

型号 :
FDC6561AN
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
PDF :
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库存 :
28311 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 220pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.2nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 95 毫欧 @ 2.5A,10V
供应商器件封装 6-SSOT
功率 - 最大值 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A
系列 PowerTrench®
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