服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI4909DY-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
PDF :
PDF
库存 :
10000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 63nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 8A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 3.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A
系列 TrenchFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]