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DMG6601LVT-7DITR-ND

型号 :
DMG6601LVT-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
PDF :
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库存 :
36000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 422pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12.3nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 3.4A,10V
供应商器件封装 TSOT-26
功率 - 最大值 850mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A,2.5A
系列 -
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