服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7DIDKR-ND

型号 :
DMG6601LVT-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
PDF :
PDF
库存 :
36667 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 422pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12.3nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 3.4A,10V
供应商器件封装 TSOT-26
功率 - 最大值 850mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A,2.5A
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]