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EM6K7T2RDKR-ND

型号 :
EM6K7T2R
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6
PDF :
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库存 :
13744 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 25pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
供应商器件封装 EMT6
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA
系列 -
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