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SI7540DP-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI7540DP-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
PDF :
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库存 :
9000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 17nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.6A,5.7A
系列 TrenchFET®
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