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296-35026-6-ND

型号 :
CSD86360Q5D
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
PDF :
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库存 :
6136 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2060pF @ 12.5
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12.6nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) -
供应商器件封装 8-SON(5x6)
功率 - 最大值 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-LDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A
系列 NexFET™
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