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SI7956DP-T1-GE3CT-ND

型号 :
SI7956DP-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
PDF :
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库存 :
17650 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 26nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 4.1A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A
系列 TrenchFET®
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