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NTJD1155LT1GOSTR-ND

型号 :
NTJD1155LT1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
PDF :
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库存 :
27000 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大值 400mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A
系列 -
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