SSM6P35FE(TE85L,F) - 上海强芯电子技术有限公司

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SSM6P35FE(TE85LF)TR-ND

型号 :: SSM6P35FE(TE85L,F)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

PDF :: PDF

库存 :: 4000

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SSM6P35FE(TE85L,F)

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	12.2pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	8 欧姆 @ 50mA，4V
供应商器件封装	ES6（1.6x1.6）
功率 - 最大值	150mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA
系列	-

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