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SI1902DL-T1-E3DKR-ND
- 型号 :
- SI1902DL-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 简介 :
- MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6
- PDF :
- 库存 :
- 50384
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 1.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 385 毫欧 @ 660mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
| 功率 - 最大值 | 270mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 660mA |
| 系列 | TrenchFET® |
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