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US6K2DKR-ND

型号 :
US6K2TR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
PDF :
PDF
库存 :
6000 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 70pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 240 毫欧 @ 1.4A,10V
供应商器件封装 TUMT6
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A
系列 -
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