US6J2TR - 上海强芯电子技术有限公司

网站首页 > 产品> US6J2TR

图片仅供参考
请以实物为准

US6J2CT-ND

型号 :: US6J2TR

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

PDF :: PDF

库存 :: 8525

单价 :: 注册会员查看价格

热门产品

浏览历史

US6J2TR

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	150pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	2.1nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	390 毫欧 @ 1A，4.5V
供应商器件封装	TUMT6
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A
系列	-

产品评论

没有评论

购物指南

支付/配送

售后服务

关于我们