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SI3552DV-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SI3552DV-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
PDF :
PDF
库存 :
3145 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA(最小)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.2nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 2.5A,10V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 1.15W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
系列 TrenchFET®
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