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FDMB3800NDKR-ND

型号 :
FDMB3800N
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
PDF :
PDF
库存 :
4554 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 465pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.6nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 4.8A,10V
供应商器件封装 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
功率 - 最大值 750mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-MLP,MicroFET™
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A
系列 PowerTrench®
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