ZXMC10A816N8TC - 上海强芯电子技术有限公司

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ZXMC10A816N8DITR-ND

型号 :: ZXMC10A816N8TC

制造商 :: Diodes Incorporated

简介 :: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

PDF :: PDF

库存 :: 5000

单价 :: 注册会员查看价格

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ZXMC10A816N8TC

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	497pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	9.2nC @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	230 毫欧 @ 1A，10V
供应商器件封装	8-SOP
功率 - 最大值	1.8W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A
系列	-

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