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ZXMC10A816N8DITR-ND

型号 :
ZXMC10A816N8TC
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
5000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 497pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 9.2nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 230 毫欧 @ 1A,10V
供应商器件封装 8-SOP
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A
系列 -
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