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网站首页 > 产品> BUK9K52-60E,115

568-9903-1-ND

型号 :
BUK9K52-60E,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
PDF :
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库存 :
3253 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 725pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 49 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装 LFPAK56D
功率 - 最大值 32W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A
系列 TrenchMOS™
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