服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> FDS6875

FDS6875TR-ND

型号 :
FDS6875
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
PDF :
PDF
库存 :
12500 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2250pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 31nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 6A,4.5V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 900mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A
系列 PowerTrench®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]