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BSC072N03LD GDKR-ND

型号 :
BSC072N03LD G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
PDF :
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库存 :
44992 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3500pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 41nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.2 毫欧 @ 20A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8(5.15x6.15)
功率 - 最大值 57W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.5A
系列 OptiMOS™
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