EPC2100ENG - 上海强芯电子技术有限公司

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917-EPC2100ENG-ND

型号 :: EPC2100ENG

制造商 :: EPC

简介 :: TRANS GAN ASYM 30V BUMPED DIE

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库存 :: 370

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EPC2100ENG

FET 功能	GaNFET（氮化镓）
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 4mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	290pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	3.5nC @ 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	8 毫欧 @ 25A，5V
供应商器件封装	模具
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	模具
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A，40A
系列	-

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