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网站首页 > 产品> PMDT290UCE,115

568-10765-6-ND

型号 :
PMDT290UCE,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
PDF :
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库存 :
5134 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 0.95V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 83pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 0.68nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
供应商器件封装 SOT-666
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 800mA,550mA
系列 -
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