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BSC750N10ND GDKR-ND

型号 :
BSC750N10ND G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
PDF :
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库存 :
7697 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 12µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 720pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 13A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8(5.15x6.15)
功率 - 最大值 26W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A
系列 OptiMOS™
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