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US6J11TR-ND

型号 :
US6J11TR
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 290pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.4nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
供应商器件封装 UMT6
功率 - 最大值 320mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A
系列 -
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