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296-35526-2-ND

型号 :
CSD87312Q3E
制造商 :
Texas Instruments
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
PDF :
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库存 :
10000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 N 沟道(双)共源
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1250pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.2nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 33 毫欧 @ 7A,8V
供应商器件封装 8-SON(3.3x3.3)
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A
系列 NexFET™
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