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SSM6N43FULFDKR-ND

型号 :
SSM6N43FU,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
PDF :
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库存 :
6000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 46pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.23nC @ 4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 630 毫欧 @ 200mA,5V
供应商器件封装 US6
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 500mA
系列 -
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