SSM6N16FUTE85LF - 上海强芯电子技术有限公司

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SSM6N16FUTE85LFDKR-ND

型号 :: SSM6N16FUTE85LF

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

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库存 :: 5996

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SSM6N16FUTE85LF

FET 功能	标准
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	9.3pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3 欧姆 @ 10mA，4V
供应商器件封装	US6
功率 - 最大值	200mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）
系列	-

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